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IRFH5302DTRPBF

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4000+

$1.005

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH5302DTRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH5302DTRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PQFN (5x6) Single Die
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 104W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

SP001570962
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3635pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Ta), 100A (Tc)

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