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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH6200TR2PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH6200TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH6200TR2PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 150µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 156W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

IRFH6200TR2PBFDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10890pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

230nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Ta), 100A (Tc)

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IRFH6200TRPBF

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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