2205362

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH7185TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH7185TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH7185TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.6V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

FASTIRFET™, HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

5.2 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.6W (Ta), 160W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

IRFH7185TRPBFTR
SP001566602
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 19A (Ta) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta)
Número de pieza base

IRFH7185

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IRFH7184ATRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 8-TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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