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Imagen IRFH8321TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH8321TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFH8321TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFH8321TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.9 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.4W (Ta), 54W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TQFN Exposed Pad
Otros nombres

IRFH8321TRPBFTR
SP001575876
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

59nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 21A (Ta), 83A (Tc) 3.4W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta), 83A (Tc)

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