IRFP4668PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFP4668PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFP4668PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247AC
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9.7 mOhm @ 81A, 10V
La disipación de energía (máximo)

520W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10720pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

241nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 130A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

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IRFP460C

Descripción: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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