International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFPS3810PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFPS3810PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFPS3810PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SUPER-247 (TO-274AA)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

580W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-274AA
Otros nombres

*IRFPS3810PBF
SP001566934
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6790pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

390nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

170A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFPS3810PBF".

IRFPS38N60L

Descripción: MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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