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IRFR3412PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFR3412PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFR3412PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 29A, 10V
La disipación de energía (máximo)

140W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

*IRFR3412PBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3430pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

89nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 48A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

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IRFR3410TRPBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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