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Imagen IRFSL5615PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFSL5615PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFSL5615PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFSL5615PBF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

42 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo)

144W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

SP001567730
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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