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IRFTS8342TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRFTS8342TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRFTS8342TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.35V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    19 mOhm @ 8.2A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6
  • Otros nombres
    IRFTS8342TRPBFTR
    SP001552394
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 8.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
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