International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFZ24NSTRLPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFZ24NSTRLPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFZ24NSTRLPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 45W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IRFZ24NSTRLPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFZ24NSTRLPBF".

IRFZ14STRR

Descripción: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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