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2619048Imagen IRLB8314PBFInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRLB8314PBF

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1000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLB8314PBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 184A TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRLB8314PBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.2V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-3
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 68A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    125W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    64-0101PBF
    64-0101PBF-ND
    SP001572766
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5050pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    60nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 130A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)

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