International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHS6342TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLHS6342TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLHS6342TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 10µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-PQFN (2x2)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerVDFN
Otros nombres

IRLHS6342TRPBF-ND
IRLHS6342TRPBFTR
SP001573840
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1019pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A (Ta), 19A (Tc)

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IRLI3705NPBF

Descripción: MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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