International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLS3036-7PPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLS3036-7PPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLS3036-7PPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK (7-Lead)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9 mOhm @ 180A, 10V
La disipación de energía (máximo)

380W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Otros nombres

SP001577170
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11270pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

160nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

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IRLS3813PBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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