IRLU3636PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLU3636PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLU3636PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

143W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

SP001567320
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3779pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

49nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IRLU3410PBF

Descripción: MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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