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SIDC110D170HX1SA2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SIDC110D170HX1SA2
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    SIDC110D170HX1SA2.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 200A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1700V
  • Paquete del dispositivo
    Sawn on foil
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    SIDC110D170H
    SIDC110D170H-ND
    SP000013982
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1700V 200A (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    27µA @ 1700V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 45A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

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Descripción: DIODE GEN PURP 1.7KV 300A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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