International Rectifier (Infineon Technologies)

SPA04N80C3XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPA04N80C3XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPA04N80C3XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 240µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-FP
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

SP000216300
SPA04N80C3
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3IN-ND
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 4A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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SPA06N80C3XKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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