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5380176Imagen SPB21N50C3ATMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB21N50C3ATMA1

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1000+
$2.304
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Especificaciones
  • Número de pieza
    SPB21N50C3ATMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SPB21N50C3ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.9V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    190 mOhm @ 13.1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    208W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    Q2088067
    SP000013833
    SPB21N50C3
    SPB21N50C3-ND
    SPB21N50C3ATMA1TR
    SPB21N50C3INTR
    SPB21N50C3INTR-ND
    SPB21N50C3XT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2400pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    560V
  • Descripción detallada
    N-Channel 560V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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