International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD03N50C3BTMA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPD03N50C3BTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPD03N50C3BTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 135µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SPD03N50C3BTMA1CT
SPD03N50C3INCT
SPD03N50C3INCT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

560V
Descripción detallada

N-Channel 560V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Tc)

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SPD026586

Descripción: HANDLE WHITE

Fabricantes: Luxo

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