International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD07N20GBTMA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPD07N20GBTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 7A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPD07N20GBTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SP000449008
SPD07N20 G
SPD07N20 G-ND
SPD07N20 GTR-ND
SPD07N20G
SPD07N20GBTMA1TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

31.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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SPD06N80C3ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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