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SPD50P03LGBTMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SPD50P03LGBTMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SPD50P03LGBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-TO252-5
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    7 mOhm @ 50A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    150W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Otros nombres
    SPD50P03LGBTMA1DKR
    SPD50P03LGINDKR
    SPD50P03LGINDKR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6880pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    126nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-5
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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Descripción: FIXED IND 39UH 780MA 700 MOHM

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET P-CH 30V 50A TO-252

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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Descripción: FIXED IND 12UH 1.3A 200 MOHM SMD

Fabricantes: API Delevan
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