International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP15N60C3XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPP15N60C3XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPP15N60C3XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 675µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

280 mOhm @ 9.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

156W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000681050
SPP15N60C3
SPP15N60C3-ND
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3IN-ND
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1660pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

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SPP15P10PHXKSA1

Descripción: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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