International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP18P06PHKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPP18P06PHKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPP18P06PHKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

81.1W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

28nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18.7A (Ta)

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Descripción: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION

Fabricantes: 3M

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