International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP80P06PBKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPP80P06PBKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPP80P06PBKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 5.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 64A, 10V
La disipación de energía (máximo)

340W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000012840
SPP80P06P
SPP80P06PIN
SPP80P06PIN-ND
SPP80P06PX
SPP80P06PXK
SPP80P06PXTIN
SPP80P06PXTIN-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5033pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

173nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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SPPC122401FC

Descripción: SWITCHING PS 12VDC 240W W/PFC

Fabricantes: Carlo Gavazzi

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