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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SB1427T100E

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Imagen 2SB1427T100E

LAPIS Semiconductor

2SB1427T100E

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10000+

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Especificaciones

Número de pieza

2SB1427T100E
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 20V 2A SOT-89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SB1427T100E.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

20V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

MPT3
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

2SB1427T100E-ND
2SB1427T100ETR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

90MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 2A 90MHz 2W Surface Mount MPT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

390 @ 500mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

2SB1427

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