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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SB1689T106
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6474925Imagen 2SB1689T106LAPIS Semiconductor

2SB1689T106

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SB1689T106
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.2SB1689T106.pdf
    2.2SB1689T106.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    12V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 25mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    UMT3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    2SB1689T106-ND
    2SB1689T106TR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    400MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 1.5A 400MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    270 @ 200mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1.5A
  • Número de pieza base
    2SB1689

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Fabricantes: Sanken Electric Co., Ltd.
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