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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SD1834T100
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2767953Imagen 2SD1834T100LAPIS Semiconductor

2SD1834T100

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SD1834T100
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-89
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.2SD1834T100.pdf
    2.2SD1834T100.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    MPT3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    2SD1834T100-ND
    2SD1834T100TR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    150MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 1A 150MHz 2W Surface Mount MPT3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    2000 @ 500mA, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A
  • Número de pieza base
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