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5514383Imagen 2SK3065T100LAPIS Semiconductor

2SK3065T100

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SK3065T100
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SK3065T100.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    MPT3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    320 mOhm @ 1A, 4V
  • La disipación de energía (máximo)
    500mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    2SK3065T100TR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    160pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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