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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BC847BT116
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5589040Imagen BC847BT116LAPIS Semiconductor

BC847BT116

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BC847BT116
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 45V 0.1A SST3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.BC847BT116.pdf
    2.BC847BT116.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    45V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    SST3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    350mW
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    BC847BT116DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 200MHz 350mW Surface Mount SST3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    -
  • Corriente - corte del colector (Max)
    15nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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