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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BC857BHZGT116
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1380186Imagen BC857BHZGT116LAPIS Semiconductor

BC857BHZGT116

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BC857BHZGT116
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.BC857BHZGT116.pdf
    2.BC857BHZGT116.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    45V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    BC857BHZGT116TR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    210 @ 2mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    15nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN060

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