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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > BR24G128FJ-3GTE2
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6880666Imagen BR24G128FJ-3GTE2LAPIS Semiconductor

BR24G128FJ-3GTE2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BR24G128FJ-3GTE2
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8SOPJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.BR24G128FJ-3GTE2.pdf
    2.BR24G128FJ-3GTE2.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    5ms
  • Suministro de voltaje
    1.6 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    EEPROM
  • Paquete del dispositivo
    8-SOP-J
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    BR24G128FJ-3GTE2-ND
    BR24G128FJ-3GTE2TR
    BR24G128FJ3GTE2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Kb (16K x 8)
  • Interfaz de memoria
    I²C
  • Formato de memoria
    EEPROM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    11 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    EEPROM Memory IC 128Kb (16K x 8) I²C 400kHz 8-SOP-J
  • Frecuencia de reloj
    400kHz
  • Número de pieza base
    BR24G128

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