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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > BR25G128NUX-3TR
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1024909Imagen BR25G128NUX-3TRLAPIS Semiconductor

BR25G128NUX-3TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BR25G128NUX-3TR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC EEPROM 128K SPI VSON008X2030
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BR25G128NUX-3TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    5ms
  • Suministro de voltaje
    1.6 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    EEPROM
  • Paquete del dispositivo
    VSON008X2030
  • Serie
    -
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-UFDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    BR25G128NUX-3TRDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Kb (16K x 8)
  • Interfaz de memoria
    SPI
  • Formato de memoria
    EEPROM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    EEPROM Memory IC 128Kb (16K x 8) SPI 20MHz VSON008X2030
  • Frecuencia de reloj
    20MHz

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Descripción: IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SOPJ

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