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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > BR25L010FVT-WE2

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Imagen BR25L010FVT-WE2

LAPIS Semiconductor

BR25L010FVT-WE2

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Especificaciones

Número de pieza

BR25L010FVT-WE2
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BR25L010FVT-WE2.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

5ms
Suministro de voltaje

1.8 V ~ 5.5 V
Tecnología

EEPROM
Paquete del dispositivo

8-TSSOP-B
Serie

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

BR25L010FVT-WE2CT
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

1Kb (128 x 8)
Interfaz de memoria

SPI
Formato de memoria

EEPROM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

EEPROM Memory IC 1Kb (128 x 8) SPI 5MHz 8-TSSOP-B
Frecuencia de reloj

5MHz
Número de pieza base

BR25L010

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