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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > BR34E02NUX-WTR
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5791003Imagen BR34E02NUX-WTRLAPIS Semiconductor

BR34E02NUX-WTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BR34E02NUX-WTR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BR34E02NUX-WTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    5ms
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    EEPROM
  • Paquete del dispositivo
    VSON008X2030
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-UFDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    BR34E02NUXWTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Kb (256 x 8)
  • Interfaz de memoria
    I²C
  • Formato de memoria
    EEPROM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    EEPROM Memory IC 2Kb (256 x 8) I²C 400kHz VSON008X2030
  • Frecuencia de reloj
    400kHz
  • Número de pieza base
    BR34E02

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Descripción: BRIDGE DIODE 35A 400V BR

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BR34L02FVT-WE2

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Descripción: IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: BRIDGE DIODE 35A 50V BR

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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BR34E02FVT-WE2

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Descripción: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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