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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > BR35H640FJ-WCE2
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3330817Imagen BR35H640FJ-WCE2LAPIS Semiconductor

BR35H640FJ-WCE2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BR35H640FJ-WCE2
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC EEPROM 64K SPI 5MHZ 8SOPJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    5ms
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    EEPROM
  • Paquete del dispositivo
    8-SOP-J
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    BR35H640FJWCE2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Kb (8K x 8)
  • Interfaz de memoria
    SPI
  • Formato de memoria
    EEPROM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    EEPROM Memory IC 64Kb (8K x 8) SPI 5MHz 8-SOP-J
  • Frecuencia de reloj
    5MHz
  • Número de pieza base
    BR35H640
BR35005-G

BR35005-G

Descripción: BRIDGE DIODE 35A 50V BR

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
BR3C10UC

BR3C10UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 10A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR3504-G

BR3504-G

Descripción: BRIDGE DIODE 35A 400V BR

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
BR38

BR38

Descripción: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
BR3C12UC

BR3C12UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 12A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR34L02FVT-WE2

BR34L02FVT-WE2

Descripción: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BR3510-G

BR3510-G

Descripción: BRIDGE DIODE 35A 1000V BR

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
BR35H128F-WCE2

BR35H128F-WCE2

Descripción: IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BR3510W-G

BR3510W-G

Descripción: BRIDGE DIODE 35A 1000V BR-W

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
BR3C13UC

BR3C13UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 13A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR3C16UC

BR3C16UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 16A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR3C16AC

BR3C16AC

Descripción: CB MCB 3P 16A

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR3504W-G

BR3504W-G

Descripción: BRIDGE DIODE 35A 400V BR-W

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
BR34L02FV-WE2

BR34L02FV-WE2

Descripción: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SSOPB

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BR35005W-G

BR35005W-G

Descripción: BRIDGE DIODE 35A 50V BR-W

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
BR35H128FJ-WCE2

BR35H128FJ-WCE2

Descripción: IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOPJ

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BR3C15UC

BR3C15UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 15A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR3C1UC

BR3C1UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 1A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR3C20UC

BR3C20UC

Descripción: CB MCB 489 3P C 20A ACDC

Fabricantes: Weidmuller
Existencias disponibles
BR36

BR36

Descripción: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles

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