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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTA024EMT2L

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Imagen DTA024EMT2L

LAPIS Semiconductor

DTA024EMT2L

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Especificaciones

Número de pieza

DTA024EMT2L
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTA024EMT2L.pdf
2.DTA024EMT2L.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

VMT3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-723
Otros nombres

DTA024EMT2LTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

30mA

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