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899768Imagen DTA123EEFRATLLAPIS Semiconductor

DTA123EEFRATL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DTA123EEFRATL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.DTA123EEFRATL.pdf
    2.DTA123EEFRATL.pdf
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    EMT3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potencia - Max
    150mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-75, SOT-416
  • Otros nombres
    DTA123EEFRATLCT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 20mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

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