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1476527Imagen DTB113ECT116LAPIS Semiconductor

DTB113ECT116

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DTB113ECT116
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.DTB113ECT116.pdf
    2.DTB113ECT116.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SST3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    1 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    DTB113ECMGT116
    DTB113ECT116TR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA

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Descripción: BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 2.25A

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Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

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Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

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