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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTC023JUBTL

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5871160

Imagen DTC023JUBTL

LAPIS Semiconductor

DTC023JUBTL

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Especificaciones

Número de pieza

DTC023JUBTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC023JUBTL.pdf
2.DTC023JUBTL.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

UMT3F
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-85
Otros nombres

DTC023JUBTLCT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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