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Imagen DTC043TEBTL

LAPIS Semiconductor

DTC043TEBTL

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Especificaciones

Número de pieza

DTC043TEBTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC043TEBTL.pdf
2.DTC043TEBTL.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

EMT3F (SOT-416FL)
Serie

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

DTC043TEBTLCT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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