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4435578Imagen DTC115GUAT106LAPIS Semiconductor

DTC115GUAT106

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DTC115GUAT106
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.DTC115GUAT106.pdf
    2.DTC115GUAT106.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    UMT3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    100 kOhms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    DTC115GUAT106DKR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    82 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    DTC115

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