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1204682Imagen DTC143ZUAT106Rohm Semiconductor

DTC143ZUAT106

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DTC143ZUAT106
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DTC143ZUAT106.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100mA
  • Tensión - Desglose
    UMT3
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    50V
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms)
    4.7k
  • Resistencia - Base (R1) (Ohms)
    250MHz
  • Potencia - Max
    200mW
  • Polarización
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    DTC143ZUAT106-ND
    DTC143ZUAT106TR
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    47k
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    DTC143ZUAT106
  • Frecuencia - Transición
    80 @ 10mA, 5V
  • Descripción ampliada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    500nA
  • Corriente - corte del colector (Max)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    NPN - Pre-Biased

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