EMB11FHAT2R

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Especificaciones

Número de pieza

EMB11FHAT2R
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP 100MA EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.EMB11FHAT2R.pdf
2.EMB11FHAT2R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

-
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

2 PNP Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

EMT6
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

EMB11FHAT2RCT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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