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4193936Imagen IMB4AT110LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IMB4AT110
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IMB4AT110.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo de transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SMT6
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-74, SOT-457
  • Otros nombres
    IMB4AT110CT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
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