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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > IMZ1AT108
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5178124Imagen IMZ1AT108LAPIS Semiconductor

IMZ1AT108

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IMZ1AT108
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IMZ1AT108.pdf
    2.IMZ1AT108.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN, PNP
  • Paquete del dispositivo
    SMT6
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-74, SOT-457
  • Otros nombres
    IMZ1AT108TR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    180MHz, 140MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    150mA
  • Número de pieza base
    *MZ1

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Descripción: TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP

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