QH8MA4TCR

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Especificaciones

Número de pieza

QH8MA4TCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QH8MA4TCR.pdf
2.QH8MA4TCR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max

1.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

QH8MA4TCRTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15.5nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 8A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 8A

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