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5854359Imagen R6002ENDTLLAPIS Semiconductor

R6002ENDTL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6002ENDTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    R6002ENDTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    CPT3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    20W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    R6002ENDTLCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    65pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

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