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Imagen RAF040P01TCL

LAPIS Semiconductor

RAF040P01TCL

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Especificaciones

Número de pieza

RAF040P01TCL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Descripción

MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RAF040P01TCL.pdf
2.RAF040P01TCL.pdf
3.RAF040P01TCL.pdf
4.RAF040P01TCL.pdf
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VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RAF040P01TCL-ND
RAF040P01TCLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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