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Imagen RB088NS100FHTL

LAPIS Semiconductor

RB088NS100FHTL

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Especificaciones

Número de pieza

RB088NS100FHTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SCHOTTKY BARRIER DIODES (CORRESP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RB088NS100FHTL.pdf
2.RB088NS100FHTL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

870mV @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

LPDS
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

11.8ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

RB088NS100FHTLCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

10A

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