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Imagen RB095BGE-60TL

LAPIS Semiconductor

RB095BGE-60TL

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Especificaciones

Número de pieza

RB095BGE-60TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE ARRAY SCHOTTKY
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RB095BGE-60TL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

580mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

60V
Paquete del dispositivo

TO-252GE
Velocidad

-
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RB095BGE-60TL-ND
RB095BGE-60TLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corriente - Fuga inversa a Vr

300µA @ 60V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

6A

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