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4272875Imagen RB168VAM100TRLAPIS Semiconductor

RB168VAM100TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RB168VAM100TR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    SCHOTTKY BARRIER DIODE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RB168VAM100TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    840mV @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    TUMD2M
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    2-SMD, Flat Lead
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Schottky 100V 1A Surface Mount TUMD2M
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    300nA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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